




200度存儲器詢價
程序存儲器
如果微控制器既利用內(nèi)部存儲器也利用外部存儲器,則內(nèi)部存儲器通常被用來存儲不常改變的代碼,而外部存儲器用于存儲更新比較頻繁的代碼和數(shù)據(jù)。設(shè)計工程師也需要考慮存儲器是否將被在線重新編程或用新的可編程器件替代。對于需要重編程功能的應(yīng)用,人們通常選用帶有內(nèi)部閃存的微控制器,但帶有內(nèi)部OTP或ROM和外部閃存或EEPROM的微控制器也滿足這個要求。為降低成本,外部閃存可用來存儲代碼和數(shù)據(jù),但在存儲數(shù)據(jù)時必須小心避免意外修改代碼。
在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中,經(jīng)銷210度存儲器品牌,人們利用閃存存儲程序以便在線升級固件。代碼穩(wěn)定的較老的應(yīng)用系統(tǒng)仍可以使用ROM和OTP存儲器,但由于閃存的通用性,越來越多的應(yīng)用系統(tǒng)正轉(zhuǎn)向閃存。

高溫150度存儲器
由于電容不可能長期保持電荷不變,必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作,以保持電荷穩(wěn)定,北京200度存儲器品牌,這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時器8253的計數(shù)器1,北京150度存儲器品牌,每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求,該請求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時,DMA控制器送出到刷新地址信號,對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作,每讀一次刷新一行。

供應(yīng)175度存儲器
EEPROM與FRAM
EEPROM和FRAM的設(shè)計參數(shù)類似,但FRAM的可讀寫次數(shù)非常高且寫入速度較快。然而通常情況下,用戶仍會選擇EEPROM而不是FRAM,其主要原因是成本(FRAM較為昂貴)、質(zhì)量水平和供貨情況。設(shè)計工程師常常使用成本較低的串行EEPROM,存儲器,除非耐久性或速度是強制性的系統(tǒng)要求。
DRAM和SRAM都是易失性存儲器,盡管這兩種類型的存儲器都可以用作程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器,但SRAM主要用于數(shù)據(jù)存儲器。DRAM與SRAM之間的主要差別是數(shù)據(jù)存儲的壽命。只要不斷電,SRAM就能保持其數(shù)據(jù),但DRAM只有極短的數(shù)據(jù)壽命,通常為4毫秒左右。


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