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北京晶宇興科技有限公司
主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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如何選擇壓控晶體振蕩器？
有源石英晶體振蕩器分為普通振蕩器，溫補振蕩器TCXO，電壓可調振蕩器原廠，壓控振蕩器VCXO，恒溫振蕩器OCXO等等，從使用數(shù)量來看普通振蕩器和溫補振蕩器可觀，一個代表通用型，一個代表頻率高精度型；而壓控和恒溫市場需求相對較少，但是從選型難易程度看，恒溫雖然代表著更高的技術要求，很多指標要求從設計上已經達到標準，所以在選擇上相對簡單，而壓控晶振它牽涉到更多的性能指標，不同性能指標其用法及成本均有很大的差異，所以在這里對壓控晶振的選型做相關的介紹 。
壓控振蕩器性能指標
1.中心頻率是指頻率調節(jié)范圍的中間值，七專級電壓可調振蕩器原廠，即振蕩器頻率的大值和小值的中間值，中心頻率的大小取決于振蕩器的結構和元器件參數(shù)，而且還隨著工藝和溫度相應改變;隨著科學技術的不斷發(fā)展和產品性能的調高，現(xiàn)如今CMOS壓控振蕩器的中心頻率能夠達到10GHz。
2.調諧范圍是指調節(jié)輸出頻率的變化范圍，即振蕩器的大調諧頻率和小調諧頻率的差值壓控振蕩器要有足夠大的調諧范圍才能滿足輸出頻率達到所需要的值。
LC壓控型壓控振蕩器
在任何一種LC振蕩器中，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，后來大都使用變容二極管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中，T為晶體管，L為回路電感，C1、C2、Cv為回路電容，Cv為變容二極管反向偏置時呈現(xiàn)出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當輸入控制電壓uc改變時，七專級電壓可調振蕩器原廠，Cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關系為VCO輸出頻率與控制電壓關系式中C0是零反向偏壓時變容二極管的電容量；φ 是變容二極管的結電壓；γ 是結電容變化指數(shù)。為了得到線性控制特性，可以采取各種補償措施。
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