





什么叫溫補振蕩器的滯變效應和微擾效應
滯變效應(完整溫度循環(huán))[3]在一個完整的穩(wěn)態(tài)環(huán)境溫度測試循環(huán)中觀察到的,溫補晶體振蕩器頻率溫度特性不可重復的一種熱致效應(指標多為≤±0.1ppm~≤±0.6ppm)。滯變效應較為簡單的計算方法是只計算一個完整穩(wěn)態(tài)環(huán)境溫度測試循環(huán)前后+25℃時輸出頻率的差值。
微擾效應:主要是由于晶體諧振器制造缺陷造成的,溫補晶體振蕩器輸出頻率圍繞其光滑頻率溫度特性曲線存在跳點的效應(指標多為≤±0.1ppm~≤±1.0ppm)。微擾效應一般不做100%參數(shù)測試,廠家通常采用另外一種有效的方法,即通過篩選微擾效應小的晶體揩振器來做到設計參數(shù)的保證。

溫補振蕩器發(fā)展
準確頻率源是許多電子設備組成部分,頻率源性能的優(yōu)劣直接關系到系統(tǒng)的可靠性。隨著便攜式電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展,對頻率源的要求也越來越高。普通晶體振蕩器是常用的頻率源,溫補晶振價格,但由于其振蕩頻率隨溫度變化呈近似的三次函數(shù)關系,它的應用范圍受到了限制。為了獲得寬溫度范圍的準確頻率源,溫補晶振加工,通常采用電路對其進行溫度補償。 本文設計了一款溫度補償晶體振蕩器(TCXO)芯片,該芯片只需外接一顆石英晶振便可構成TCXO,溫補晶振,該芯片分為壓控晶體振蕩器和模擬溫度補償電路兩個部分。其中的壓控晶體振蕩器的壓控電容采用MOS可變電容,溫補晶振生產(chǎn)廠家,實現(xiàn)起來成本低。

晶體振蕩器頻率控制方法
振蕩器可通過直接牽引頻率或使用高分辨率鎖相環(huán)調(diào)整頻率來實現(xiàn)頻率控制。直接牽引頻率的 VCXO用調(diào)整變?nèi)荻O管電壓來改變諧振電路電容,而直接牽引頻率的DCXO通過可編程開關切換不同的諧振電容。使用石英晶體諧振器的VCXO直接牽引頻 率調(diào)整可以保持低相位噪聲,但牽引范圍被限制在約±200ppm。當系統(tǒng)應用需要更寬的頻率牽引范圍和與晶體振蕩器相近的低噪聲特性時,用戶更傾向于選擇 基于鎖相環(huán)的MEMS控制振蕩器架構,因為它們可以提供高達±1600ppm的牽引范圍。


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