




150度晶體振蕩器
北京啟爾特石油科技主營(yíng)石油測(cè)井高溫電子元件,150度-300度各個(gè)溫度檔元器件齊全,旗下自主研發(fā)的150度、175度晶振晶體,經(jīng)過(guò)168小時(shí)高溫測(cè)試,質(zhì)量好,可靠性高,年老化率低,溫漂小,是目前國(guó)內(nèi)唯能做到175度高溫晶振晶體的廠家,客戶覆蓋率廣,如國(guó)內(nèi)各大油田旗下測(cè)井公司,中國(guó)電子科技集團(tuán),航天科工等單位,現(xiàn)貨200度晶體振蕩器公司,感興趣的用戶,歡迎致電咨詢。

壓電諧振狀態(tài)的建立和維持都必須借助于振蕩器電路才能實(shí)現(xiàn)。圖3是一個(gè)串聯(lián)型振蕩器,晶體管T1和T2構(gòu)成的兩級(jí)放大器,石英晶體XT與電容C2構(gòu)成LC 電路。在這個(gè)電路中,石英晶體相當(dāng)于一個(gè)電感,C2為可變電容器,調(diào)節(jié)其容量即可使電路進(jìn)入諧振狀態(tài)。該振蕩器供電電壓為5V,輸出波形為方波。無(wú)源晶體——無(wú)源晶體需要用DSP片內(nèi)的振蕩器,現(xiàn)貨175度晶體振蕩器公司,在datasheet上有建議的連接方法。無(wú)源晶體沒(méi)有電壓的問(wèn)題,信號(hào)電平是可變的,也就是說(shuō)是根據(jù)起振電路來(lái)決定的,同樣的晶體可以適用于多種電壓,可用于多種不同時(shí)鐘信號(hào)電壓要求的DSP,而且價(jià)格通常也較低,因此對(duì)于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體,這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。無(wú)源晶體相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差,通常需要匹配外圍電路(用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。建議采用精度較高的石英晶體,銷售150度晶體振蕩器公司,盡可能不要采用精度低的陶瓷警惕。
175度高溫晶振HC49S封裝
北京啟爾特石油供應(yīng)175度高溫晶振,175度晶振,175度晶體,175度高溫晶體,175度高溫表貼晶振,175度表貼晶振,175度高溫直插晶振,175度直插晶體,高溫175度晶振,高溫晶振175度,常用封裝有JU3*8封裝,HC49S封裝,HC14DY封裝等等,均備有現(xiàn)貨,歡迎廣大測(cè)井單位來(lái)電咨詢。

低溫漂200度晶振
北京啟爾特石油科技主營(yíng)石油測(cè)井高溫電子元件,150度-300度各個(gè)溫度檔元器件齊全,旗下自主研發(fā)的150度、175度晶振晶體,晶體振蕩器,經(jīng)過(guò)168小時(shí)高溫測(cè)試,質(zhì)量好,可靠性高,年老化率低,溫漂小,是目前國(guó)內(nèi)唯能做到175度高溫晶振晶體的廠家,客戶覆蓋率廣,如國(guó)內(nèi)各大油田旗下測(cè)井公司,中國(guó)電子科技集團(tuán),航天科工等單位,感興趣的用戶,歡迎致電咨詢。

晶振不起振問(wèn)題歸納1、物料參數(shù)選型錯(cuò)誤導(dǎo)致晶振不起振
例如:某MCU需要匹配6PF的32.768KHz,結(jié)果選用12.5PF的,導(dǎo)致不起振。
解決辦法:更換符合要求的規(guī)格型號(hào)。必要時(shí)請(qǐng)與MCU原廠或者我們確認(rèn)。
2、內(nèi)部水晶片或損壞導(dǎo)致不起振
運(yùn)輸過(guò)程中損壞、或者使用過(guò)程中跌落、撞擊等因素造成晶振內(nèi)部水晶片損壞,從而導(dǎo)致晶振不起振。
解決辦法:更換好的晶振。平時(shí)需要注意的是:運(yùn)輸過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。
3、振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振
影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。
頻率誤差太大,導(dǎo)致實(shí)際頻率偏移標(biāo)稱頻率從而引起晶振不起振。
解決辦法:選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。
負(fù)性阻抗過(guò)大太小都會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。
解決辦法:負(fù)性阻抗過(guò)大,可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來(lái)降低負(fù)性阻抗;負(fù)性阻抗太小,則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來(lái)增大負(fù)性阻抗。一般而言,負(fù)性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標(biāo)稱阻抗3-5倍。
激勵(lì)電平過(guò)大或者過(guò)小也將會(huì)導(dǎo)致晶振不起振
解決辦法:通過(guò)調(diào)整電路中的Rd的大小來(lái)調(diào)節(jié)振蕩電路對(duì)晶振輸出的激勵(lì)電平。一般而言,激勵(lì)電平越小越好,處理功耗低之外,還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。
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